GeneSiC Semiconductor - FR6B02

KEY Part #: K6425453

Detailní popis:: DIODE GEN PURP 100V 6A DO4. Rectifiers 100V 6A Fast Recovery

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - TRIAC, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Diody - RF, Tyristory - SCR, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single and Tranzistory - speciální účel ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor FR6B02. FR6B02 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na FR6B02, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : FR6B02

Výrobce : GeneSiC Semiconductor

Popis : DIODE GEN PURP 100V 6A DO4

Série : -

Stav části : Active

Typ diod : Standard

Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 100V

Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 6A

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 6A

Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Doba zpětného obnovení (trr) : 200ns

Proud - reverzní únik @ Vr : 25µA @ 50V

Kapacita @ Vr, F : -

Typ montáže : Chassis, Stud Mount

Balíček / Případ : DO-203AA, DO-4, Stud

Balík zařízení pro dodavatele : DO-4

Provozní teplota - křižovatka : -65°C ~ 150°C

Můžete se také zajímat

BAS70E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.
QH12BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier
QH03BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier
VS-SD1100C12C

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp
63SPB100A

SMC Diode Solutions

DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.
SBAS116LT1G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T

Horké díly