ON Semiconductor - HUF75829D3S

KEY Part #: K6404021

[2155ks skladem]


    Číslo dílu:
    HUF75829D3S
    Výrobce:
    ON Semiconductor
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - Usměrňovače - Single, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Diody - Můstkové usměrňovače and Tranzistory - IGBT - Moduly ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor HUF75829D3S. HUF75829D3S může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na HUF75829D3S, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HUF75829D3S Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : HUF75829D3S
    Výrobce : ON Semiconductor
    Popis : MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
    Série : UltraFET™
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 150V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 18A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 20V
    Vgs (Max) : ±20V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1080pF @ 25V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 110W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík zařízení pro dodavatele : TO-252AA
    Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63