Výrobce :
Vishay Siliconix
Popis :
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) :
200V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C :
600mA (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 25V
Ztráta výkonu (Max) :
1W (Ta)
Provozní teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Balíček / Případ :
4-DIP (0.300", 7.62mm)