Infineon Technologies - IRFZ44VZSTRRPBF

KEY Part #: K6408326

[665ks skladem]


    Číslo dílu:
    IRFZ44VZSTRRPBF
    Výrobce:
    Infineon Technologies
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - Zener - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí and Diody - RF ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IRFZ44VZSTRRPBF. IRFZ44VZSTRRPBF může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IRFZ44VZSTRRPBF, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFZ44VZSTRRPBF Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : IRFZ44VZSTRRPBF
    Výrobce : Infineon Technologies
    Popis : MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
    Série : HEXFET®
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 60V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 57A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 34A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1690pF @ 25V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 92W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík zařízení pro dodavatele : D2PAK
    Balíček / Případ : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB