Comchip Technology - CDBDSC10650-G

KEY Part #: K6441607

CDBDSC10650-G Ceny (USD) [19897ks skladem]

  • 1 pcs$2.07129

Číslo dílu:
CDBDSC10650-G
Výrobce:
Comchip Technology
Detailní popis:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - Můstkové usměrňovače, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Moduly ovladače napájení, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Diody - RF, Diody - usměrňovače - pole and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Comchip Technology CDBDSC10650-G. CDBDSC10650-G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na CDBDSC10650-G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBDSC10650-G Vlastnosti produktu

Číslo dílu : CDBDSC10650-G
Výrobce : Comchip Technology
Popis : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Série : -
Stav části : Active
Typ diod : Silicon Carbide Schottky
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 650V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 33A (DC)
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 10A
Rychlost : No Recovery Time > 500mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 0ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 100µA @ 650V
Kapacita @ Vr, F : 690pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Balík zařízení pro dodavatele : D-PAK (TO-252)
Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 175°C

Můžete se také zajímat
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-CPU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L