Infineon Technologies - IPD036N04LGBTMA1

KEY Part #: K6416925

IPD036N04LGBTMA1 Ceny (USD) [157283ks skladem]

  • 1 pcs$0.23516

Číslo dílu:
IPD036N04LGBTMA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - JFETy, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single and Tranzistory - speciální účel ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IPD036N04LGBTMA1. IPD036N04LGBTMA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IPD036N04LGBTMA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD036N04LGBTMA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IPD036N04LGBTMA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Série : OptiMOS™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 40V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 45µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 6300pF @ 20V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 94W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PG-TO252-3
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Můžete se také zajímat
  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.