Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Diody - usměrňovače - pole
  5. MUR2X030A12

GeneSiC Semiconductor - MUR2X030A12

KEY Part #: K6468642

MUR2X030A12 Ceny (USD) [3647ks skladem]

  • 1 pcs$11.87693
  • 40 pcs$7.68074
Číslo dílu:
MUR2X030A12
Výrobce:
GeneSiC Semiconductor
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 1200V 60A SOT227. Rectifiers 1200V 60A Fwd Super Fast Recovery
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole and Diody - Můstkové usměrňovače ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor MUR2X030A12. MUR2X030A12 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na MUR2X030A12, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUR2X030A12 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : MUR2X030A12
Výrobce : GeneSiC Semiconductor
Popis : DIODE GEN PURP 1200V 60A SOT227
Série : -
Stav části : Active
Konfigurace diod : 2 Independent
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 1200V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) (na diodu) : 60A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 2.35V @ 30A
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 85ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 25µA @ 1200V
Provozní teplota - křižovatka : -65°C ~ 175°C
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : SOT-227-4, miniBLOC
Balík zařízení pro dodavatele : SOT-227
Můžete se také zajímat
  • RURD620CCS9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFDR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers UFDR DPAK PN 6A 200V

  • LQA10T150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO-220AB. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • LQA12T300C

    Power Integrations

    DIODE ARRAY GP 300V 6A TO220AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Q-Series 300V 6A Dual Ultra-Low Qrr

  • BAS4006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

  • BAS7006E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 V 70 mA

  • BAT1804E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 35V 100MA SOT23.

Horké díly