GeneSiC Semiconductor - MUR30010CTR

KEY Part #: K6468495

Detailní popis:: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER. Rectifiers 100V 300A Super Fast Recovery

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Diody - Zener - pole, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - IGBT - Moduly, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Diody - RF and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor MUR30010CTR. MUR30010CTR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na MUR30010CTR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : MUR30010CTR

Výrobce : GeneSiC Semiconductor

Popis : DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER

Série : -

Stav části : Active

Konfigurace diod : 1 Pair Common Anode

Typ diod : Standard

Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 100V

Proud - průměrný rektifikovaný (Io) (na diodu) : 300A (DC)

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 100A

Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Doba zpětného obnovení (trr) : 90ns

Proud - reverzní únik @ Vr : 25µA @ 50V

Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 150°C

Typ montáže : Chassis Mount

Balíček / Případ : Twin Tower

Balík zařízení pro dodavatele : Twin Tower

Můžete se také zajímat

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

Horké díly