ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160D-6TLA1-TR

KEY Part #: K938176

IS46R16160D-6TLA1-TR Ceny (USD) [19456ks skladem]

  • 1 pcs$2.81769
  • 1,500 pcs$2.80368

Číslo dílu:
IS46R16160D-6TLA1-TR
Výrobce:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detailní popis:
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM Automotive 256M,2.5V DDR1,64Mx8,166MHz
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Logika - Speciální logika, Ovladače PMIC - brány, Ovladače PMIC - Power Over Ethernet (PoE), Rozhraní - Signální buffery, opakovače, rozbočovač, PMIC - Ovladače motorů, regulátory, PMIC - Regulátory napětí - speciální účel, Logika - Západky and Ovladače PMIC - LED ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-6TLA1-TR. IS46R16160D-6TLA1-TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IS46R16160D-6TLA1-TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16160D-6TLA1-TR Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IS46R16160D-6TLA1-TR
Výrobce : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Popis : IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
Série : -
Stav části : Active
Typ paměti : Volatile
Formát paměti : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR
Velikost paměti : 256Mb (16M x 16)
Frekvence hodin : 166MHz
Čas zápisu - slovo, strana : 15ns
Čas přístupu : 700ps
Paměťové rozhraní : Parallel
Napětí - napájení : 2.3V ~ 2.7V
Provozní teplota : -40°C ~ 85°C (TA)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Balík zařízení pro dodavatele : 66-TSOP II

Poslední zprávy

Můžete se také zajímat
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)