CRG05(TE85L,Q,M) Ceny (USD) [944660ks skladem]
- 1 pcs$0.03915
- Číslo dílu:
- CRG05(TE85L,Q,M)
- Výrobce:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT. Rectifiers 800V Vrrm 1.0A IF 50Hz 1.2V Vfm REC
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Diody - Zener - pole, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Diody - Můstkové usměrňovače and Tranzistory - bipolární (BJT) - RF ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Toshiba Semiconductor and Storage CRG05(TE85L,Q,M). CRG05(TE85L,Q,M) může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na CRG05(TE85L,Q,M), odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
CRG05(TE85L,Q,M) Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
CRG05(TE85L,Q,M)
Výrobce :
Toshiba Semiconductor and Storage
Popis :
DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
800V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
1A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 1A
Rychlost :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
-
Proud - reverzní únik @ Vr :
10µA @ 800V
Kapacita @ Vr, F :
-
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
SOD-123F
Balík zařízení pro dodavatele :
S-FLAT (1.6x3.5)
Provozní teplota - křižovatka :
-40°C ~ 150°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
-
-
Horké díly
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08