Taiwan Semiconductor Corporation - SS36 M6G

KEY Part #: K6457936

SS36 M6G Ceny (USD) [773543ks skladem]

  • 1 pcs$0.04782

Číslo dílu:
SS36 M6G
Výrobce:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 60V 3A DO214AB.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - Zener - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - IGBT - Moduly, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - IGBTs - Single and Diody - RF ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Taiwan Semiconductor Corporation SS36 M6G. SS36 M6G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SS36 M6G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SS36 M6G Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SS36 M6G
Výrobce : Taiwan Semiconductor Corporation
Popis : DIODE GEN PURP 60V 3A DO214AB
Série : -
Stav části : Not For New Designs
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 60V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 3A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 750mV @ 3A
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : -
Proud - reverzní únik @ Vr : 500µA @ 60V
Kapacita @ Vr, F : -
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : DO-214AB, SMC
Balík zařízení pro dodavatele : DO-214AB (SMC)
Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 150°C

Můžete se také zajímat
  • RGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • BYM07-100-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt