GeneSiC Semiconductor - 1N8032-GA

KEY Part #: K6425562

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Usměrňovače - Single, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tyristory - SCR, Moduly ovladače napájení, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole and Diody - Můstkové usměrňovače ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor 1N8032-GA. 1N8032-GA může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 1N8032-GA, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : 1N8032-GA

Výrobce : GeneSiC Semiconductor

Popis : DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Série : -

Stav části : Obsolete

Typ diod : Silicon Carbide Schottky

Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 650V

Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 2.5A

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 2.5A

Rychlost : No Recovery Time > 500mA (Io)

Doba zpětného obnovení (trr) : 0ns

Proud - reverzní únik @ Vr : 5µA @ 650V

Kapacita @ Vr, F : 274pF @ 1V, 1MHz

Typ montáže : Through Hole

Balíček / Případ : TO-257-3

Balík zařízení pro dodavatele : TO-257

Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 250°C

Můžete se také zajímat

BAS70E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.
QH03BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier
VS-SD1100C12C

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp
NSVR0320XV6T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 23V 1A SOT563. Schottky Diodes & Rectifiers SS SCHOTTKY SOT563
SBAS116LT1G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T
NSVBAT54LT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR