Microsemi Corporation - APTM100UM45DAG

KEY Part #: K6392868

APTM100UM45DAG Ceny (USD) [337ks skladem]

  • 1 pcs$168.79940
  • 10 pcs$160.65029
  • 25 pcs$154.82967

Číslo dílu:
APTM100UM45DAG
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - Zener - pole, Diody - RF, Moduly ovladače napájení and Tyristory - TRIAC ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTM100UM45DAG. APTM100UM45DAG může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTM100UM45DAG, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100UM45DAG Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APTM100UM45DAG
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Série : POWER MOS 7®
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 1000V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 215A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 30mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1602nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 42700pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 5000W (Tc)
Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balík zařízení pro dodavatele : SP6
Balíček / Případ : SP6