Číslo dílu :
IPB017N08N5ATMA1
Výrobce :
Infineon Technologies
Popis :
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) :
80V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
223nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
16900pF @ 40V
Ztráta výkonu (Max) :
375W (Tc)
Provozní teplota :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele :
D²PAK (TO-263AB)
Balíček / Případ :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB