Infineon Technologies - IPB017N08N5ATMA1

KEY Part #: K6402032

IPB017N08N5ATMA1 Ceny (USD) [29780ks skladem]

  • 1 pcs$1.38396
  • 1,000 pcs$1.26967

Číslo dílu:
IPB017N08N5ATMA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - IGBT - Moduly, Diody - RF, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - programovatelný Unijunction and Diody - usměrňovače - pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IPB017N08N5ATMA1. IPB017N08N5ATMA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IPB017N08N5ATMA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB017N08N5ATMA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IPB017N08N5ATMA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Série : OptiMOS™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 80V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 223nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 16900pF @ 40V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 375W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : D²PAK (TO-263AB)
Balíček / Případ : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Můžete se také zajímat
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.