1N4150W-HE3-08 Ceny (USD) [2033073ks skladem]
- 1 pcs$0.01920
- 3,000 pcs$0.01910
- 6,000 pcs$0.01661
- 15,000 pcs$0.01412
- 30,000 pcs$0.01329
- 75,000 pcs$0.01246
- 150,000 pcs$0.01107
- Číslo dílu:
- 1N4150W-HE3-08
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - Zener - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Moduly ovladače napájení, Tyristory - SCR, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF and Diody - RF ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4150W-HE3-08. 1N4150W-HE3-08 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 1N4150W-HE3-08, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
1N4150W-HE3-08 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
1N4150W-HE3-08
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
50V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
200mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1V @ 200mA
Rychlost :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Doba zpětného obnovení (trr) :
4ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
100nA @ 50V
Kapacita @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
SOD-123
Balík zařízení pro dodavatele :
SOD-123
Provozní teplota - křižovatka :
-55°C ~ 150°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4150W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
-
SD103AW-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO
-
SD101AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60 Volt
-
SL02-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 20V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1 Amp 20 Volt
Horké díly
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18