Vishay Siliconix - SIR872ADP-T1-GE3

KEY Part #: K6419282

SIR872ADP-T1-GE3 Ceny (USD) [101730ks skladem]

  • 1 pcs$0.38436
  • 3,000 pcs$0.34064

Číslo dílu:
SIR872ADP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Detailní popis:
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Moduly ovladače napájení, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - bipolární (BJT) - pole and Tranzistory - IGBTs - Arrays ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SIR872ADP-T1-GE3. SIR872ADP-T1-GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SIR872ADP-T1-GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR872ADP-T1-GE3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SIR872ADP-T1-GE3
Výrobce : Vishay Siliconix
Popis : MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Série : TrenchFET®
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 150V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 53.7A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1286pF @ 75V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PowerPAK® SO-8
Balíček / Případ : PowerPAK® SO-8

Můžete se také zajímat