Rohm Semiconductor - RFN2LAM4STR

KEY Part #: K6457542

RFN2LAM4STR Ceny (USD) [557903ks skladem]

  • 1 pcs$0.06630

Číslo dílu:
RFN2LAM4STR
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400V 1.5A Io PMDTM Schottky
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tyristory - SCR - Moduly, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tyristory - TRIAC and Tranzistory - speciální účel ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Rohm Semiconductor RFN2LAM4STR. RFN2LAM4STR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na RFN2LAM4STR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFN2LAM4STR Vlastnosti produktu

Číslo dílu : RFN2LAM4STR
Výrobce : Rohm Semiconductor
Popis : DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM
Série : -
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 400V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 1.5A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 1.5A
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 30ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 1µA @ 400V
Kapacita @ Vr, F : -
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : SOD-128
Balík zařízení pro dodavatele : PMDTM
Provozní teplota - křižovatka : 150°C (Max)

Můžete se také zajímat
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • CMDSH05-4 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Low Vf Schottky 500mA If 250mW

  • GL41YHE3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34KHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • ES1D-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt

  • US1M-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt