Vishay Siliconix - SQD19P06-60L_GE3

KEY Part #: K6416039

SQD19P06-60L_GE3 Ceny (USD) [130121ks skladem]

  • 1 pcs$0.69823
  • 10 pcs$0.61670
  • 100 pcs$0.48746
  • 500 pcs$0.37802
  • 1,000 pcs$0.28230

Číslo dílu:
SQD19P06-60L_GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Detailní popis:
MOSFET P-CH 60V 20A TO252.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Diody - Zener - Single, Tyristory - SCR, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - speciální účel, Diody - Usměrňovače - Single and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SQD19P06-60L_GE3. SQD19P06-60L_GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SQD19P06-60L_GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD19P06-60L_GE3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SQD19P06-60L_GE3
Výrobce : Vishay Siliconix
Popis : MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Série : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav části : Active
Typ FET : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 60V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1490pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 46W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : TO-252, (D-Pak)
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Můžete se také zajímat
  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.