GeneSiC Semiconductor - GB05SLT12-220

KEY Part #: K6444969

Detailní popis:: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Můstkové usměrňovače, Diody - Zener - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tyristory - DIAC, SIDAC and Tyristory - TRIAC ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-220. GB05SLT12-220 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na GB05SLT12-220, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : GB05SLT12-220

Výrobce : GeneSiC Semiconductor

Popis : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC

Série : -

Stav části : Obsolete

Typ diod : Silicon Carbide Schottky

Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 1200V

Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 5A

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 2A

Rychlost : No Recovery Time > 500mA (Io)

Doba zpětného obnovení (trr) : 0ns

Proud - reverzní únik @ Vr : 50µA @ 1200V

Kapacita @ Vr, F : 260pF @ 1V, 1MHz

Typ montáže : Through Hole

Balíček / Případ : TO-220-2

Balík zařízení pro dodavatele : TO-220AC

Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 175°C

Můžete se také zajímat

RD0506T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA.
RD0106T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA.
RD0504T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.
VS-50WQ06FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.
SRP600K-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 6A P600.
SRP600B-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

Horké díly