ON Semiconductor - NGTB25N120FL2WG

KEY Part #: K6422592

NGTB25N120FL2WG Ceny (USD) [17612ks skladem]

  • 1 pcs$2.34012
  • 180 pcs$1.72345

Číslo dílu:
NGTB25N120FL2WG
Výrobce:
ON Semiconductor
Detailní popis:
IGBT 1200V 25A TO247-3.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Moduly ovladače napájení, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tyristory - DIAC, SIDAC and Tyristory - SCR - Moduly ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor NGTB25N120FL2WG. NGTB25N120FL2WG může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na NGTB25N120FL2WG, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTB25N120FL2WG Vlastnosti produktu

Číslo dílu : NGTB25N120FL2WG
Výrobce : ON Semiconductor
Popis : IGBT 1200V 25A TO247-3
Série : -
Stav části : Active
Typ IGBT : Field Stop
Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 1200V
Proud - kolektor (Ic) (Max) : 50A
Proud - kolektor pulzní (Icm) : 100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 25A
Výkon - Max : 385W
Přepínání energie : 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Typ vstupu : Standard
Gate Charge : 178nC
Td (zapnuto / vypnuto) @ 25 ° C : 87ns/179ns
Podmínky testu : 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Doba zpětného obnovení (trr) : 154ns
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : TO-247-3
Balík zařízení pro dodavatele : TO-247-3