ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42RM16800H-75BLI-TR

KEY Part #: K939412

Detailní popis:: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M, 2.5V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Rozhraní - UART (Universal Asynchronous Receiver T, PMIC - Regulátory napětí - speciální účel, Paměť, Rozhraní - Specialized, Logika - Západky, PMIC - regulátory napětí - lineární, Logické - signální přepínače, multiplexory, dekodé and PMIC - Spínače napájení, ovladače zátěže ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800H-75BLI-TR. IS42RM16800H-75BLI-TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IS42RM16800H-75BLI-TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : IS42RM16800H-75BLI-TR

Výrobce : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Popis : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Série : -

Stav části : Active

Typ paměti : Volatile

Formát paměti : DRAM

Technologie : SDRAM - Mobile

Velikost paměti : 128Mb (8M x 16)

Frekvence hodin : 133MHz

Čas zápisu - slovo, strana : -

Čas přístupu : 6ns

Paměťové rozhraní : Parallel

Napětí - napájení : 2.3V ~ 2.7V

Provozní teplota : -40°C ~ 85°C (TA)

Typ montáže : Surface Mount

Balíček / Případ : 54-TFBGA

Balík zařízení pro dodavatele : 54-TFBGA (8x8)

Můžete se také zajímat

CAV25M01YE-GT3

ON Semiconductor

IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W9864G2JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.