ON Semiconductor - NGTB20N120IHRWG

KEY Part #: K6422548

NGTB20N120IHRWG Ceny (USD) [19770ks skladem]

  • 1 pcs$2.08451
  • 10 pcs$1.87209
  • 100 pcs$1.53399
  • 500 pcs$1.30584
  • 1,000 pcs$1.04483

Číslo dílu:
NGTB20N120IHRWG
Výrobce:
ON Semiconductor
Detailní popis:
IGBT 1200V 40A 384W TO247.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - RF, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single and Tranzistory - programovatelný Unijunction ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor NGTB20N120IHRWG. NGTB20N120IHRWG může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na NGTB20N120IHRWG, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTB20N120IHRWG Vlastnosti produktu

Číslo dílu : NGTB20N120IHRWG
Výrobce : ON Semiconductor
Popis : IGBT 1200V 40A 384W TO247
Série : -
Stav části : Active
Typ IGBT : Trench Field Stop
Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 1200V
Proud - kolektor (Ic) (Max) : 40A
Proud - kolektor pulzní (Icm) : 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 20A
Výkon - Max : 384W
Přepínání energie : 450µJ (off)
Typ vstupu : Standard
Gate Charge : 225nC
Td (zapnuto / vypnuto) @ 25 ° C : -/235ns
Podmínky testu : 600V, 20A, 10 Ohm, 15V
Doba zpětného obnovení (trr) : -
Provozní teplota : -40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : TO-247-3
Balík zařízení pro dodavatele : TO-247