Microsemi Corporation - UES1002

KEY Part #: K6440248

UES1002 Ceny (USD) [4470ks skladem]

  • 1 pcs$10.38255
  • 10 pcs$9.43742
  • 25 pcs$8.72968
  • 100 pcs$7.63050
  • 250 pcs$6.95723

Číslo dílu:
UES1002
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL. Rectifiers Rectifier
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Moduly ovladače napájení, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí and Tranzistory - IGBTs - Arrays ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation UES1002. UES1002 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na UES1002, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UES1002 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : UES1002
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
Série : -
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 100V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 1A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 975mV @ 1A
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 25ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 2µA @ 100V
Kapacita @ Vr, F : -
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : A, Axial
Balík zařízení pro dodavatele : -
Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 175°C

Můžete se také zajímat
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • MBR20100

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC.

  • IDD06E60BUMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252.

  • IDP30E65D2XKSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS