Infineon Technologies - IPD65R380C6ATMA1

KEY Part #: K6402411

IPD65R380C6ATMA1 Ceny (USD) [8791ks skladem]

  • 2,500 pcs$0.31146

Číslo dílu:
IPD65R380C6ATMA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tyristory - SCR, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole and Diody - usměrňovače - pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IPD65R380C6ATMA1. IPD65R380C6ATMA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IPD65R380C6ATMA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD65R380C6ATMA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IPD65R380C6ATMA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Série : CoolMOS™ C6
Stav části : Obsolete
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 650V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 10.6A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 320µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 710pF @ 100V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 83W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PG-TO252-3
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63