1N4448W-HE3-08 Ceny (USD) [1848249ks skladem]
- 1 pcs$0.02001
- 15,000 pcs$0.01412
- Číslo dílu:
- 1N4448W-HE3-08
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - Zener - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - IGBTs - Arrays and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4448W-HE3-08. 1N4448W-HE3-08 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 1N4448W-HE3-08, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
1N4448W-HE3-08 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
1N4448W-HE3-08
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
75V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
150mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
720mV @ 5mA
Rychlost :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Doba zpětného obnovení (trr) :
4ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
5µA @ 75V
Kapacita @ Vr, F :
-
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
SOD-123
Balík zařízení pro dodavatele :
SOD-123
Provozní teplota - křižovatka :
-55°C ~ 150°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Horké díly
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18