Vishay Siliconix - SI1303EDL-T1-E3

KEY Part #: K6408708

[533ks skladem]


    Číslo dílu:
    SI1303EDL-T1-E3
    Výrobce:
    Vishay Siliconix
    Detailní popis:
    MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - JFETy, Diody - Usměrňovače - Single, Diody - Zener - Single, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tyristory - SCR and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SI1303EDL-T1-E3. SI1303EDL-T1-E3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SI1303EDL-T1-E3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1303EDL-T1-E3 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : SI1303EDL-T1-E3
    Výrobce : Vishay Siliconix
    Popis : MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
    Série : -
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : P-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 20V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 670mA (Ta)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 1A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA (Min)
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±12V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 290mW (Ta)
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík zařízení pro dodavatele : SC-70-3
    Balíček / Případ : SC-70, SOT-323