Toshiba Semiconductor and Storage - TPH4R606NH,L1Q

KEY Part #: K6419383

TPH4R606NH,L1Q Ceny (USD) [108618ks skladem]

  • 1 pcs$0.34956
  • 5,000 pcs$0.34782

Číslo dílu:
TPH4R606NH,L1Q
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detailní popis:
MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - RF, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Diody - Usměrňovače - Single, Diody - Zener - Single and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH,L1Q. TPH4R606NH,L1Q může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na TPH4R606NH,L1Q, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH4R606NH,L1Q Vlastnosti produktu

Číslo dílu : TPH4R606NH,L1Q
Výrobce : Toshiba Semiconductor and Storage
Popis : MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
Série : U-MOSVIII-H
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 60V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 32A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 3965pF @ 30V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Provozní teplota : 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : 8-SOP Advance (5x5)
Balíček / Případ : 8-PowerVDFN

Můžete se také zajímat