Nexperia USA Inc. - PSMN2R6-40YS,115

KEY Part #: K6419061

PSMN2R6-40YS,115 Ceny (USD) [166703ks skladem]

  • 1 pcs$0.22188
  • 1,500 pcs$0.19636

Číslo dílu:
PSMN2R6-40YS,115
Výrobce:
Nexperia USA Inc.
Detailní popis:
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tyristory - SCR, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - speciální účel, Tyristory - SCR - Moduly and Tranzistory - IGBT - Moduly ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Nexperia USA Inc. PSMN2R6-40YS,115. PSMN2R6-40YS,115 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na PSMN2R6-40YS,115, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN2R6-40YS,115 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : PSMN2R6-40YS,115
Výrobce : Nexperia USA Inc.
Popis : MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 40V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 3776pF @ 12V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 131W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : LFPAK56, Power-SO8
Balíček / Případ : SC-100, SOT-669