[3176ks skladem]
- Číslo dílu:
- UH6PDHM3_A/I
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A. Rectifiers 6A,200V, SMPC, SM Ultrafast Rectifier
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF and Diody - RF ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division UH6PDHM3_A/I. UH6PDHM3_A/I může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na UH6PDHM3_A/I, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
UH6PDHM3_A/I Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
UH6PDHM3_A/I
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A
Série :
Automotive, AEC-Q101
Stav části :
Obsolete
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
200V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
6A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.05V @ 6A
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
25ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
10µA @ 200V
Kapacita @ Vr, F :
80pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
TO-277, 3-PowerDFN
Balík zařízení pro dodavatele :
TO-277A (SMPC)
Provozní teplota - křižovatka :
-55°C ~ 175°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
CMDD6001 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
MBR1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60Volt Single
-
Horké díly
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18