Ampleon USA Inc. - BLF8G22LS-200GV,12

KEY Part #: K6465769

BLF8G22LS-200GV,12 Ceny (USD) [1221ks skladem]

1 pcs$51.21402
96 pcs$50.95922

Číslo dílu:: BLF8G22LS-200GV,12

Výrobce:: Ampleon USA Inc.

Detailní popis:: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C.

Standardní dodací lhůta výrobce:: Na skladě

Skladovatelnost:: Jeden rok

Čip od:: Hongkong

RoHS:

Způsob platby:

Způsob přepravy:

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - IGBT - Moduly, Diody - Můstkové usměrňovače, Tyristory - DIAC, SIDAC and Diody - usměrňovače - pole ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky Ampleon USA Inc. BLF8G22LS-200GV,12. BLF8G22LS-200GV,12 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BLF8G22LS-200GV,12, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

BLF8G22LS-200GV,12 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : BLF8G22LS-200GV,12

Výrobce : Ampleon USA Inc.

Popis : RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C

Série : -

Stav části : Active

Typ tranzistoru : LDMOS

Frekvence : 2.11GHz ~ 2.17GHz

Získat : 19dB

Napětí - Test : 28V

Současné hodnocení : -

Obrázek č : -

Proud - Test : 2A

Napájení - výstup : 55W

Napětí - Jmenovité : 65V

Balíček / Případ : SOT-1244C

Balík zařízení pro dodavatele : CDFM6

Můžete se také zajímat

MMBFJ310

ON Semiconductor

RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.
AFM906NT1

NXP USA Inc.

WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.
A2T27S007NT1

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.
AFM907NT1

NXP USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.
MHT1108NT1

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.
AFT27S006NT1

NXP USA Inc.

FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W.

Horké díly

English čeština