AS4PJ-M3/86A Ceny (USD) [317666ks skladem]
- 1 pcs$0.12287
- 1,500 pcs$0.12226
- 3,000 pcs$0.11080
- 7,500 pcs$0.10315
- 10,500 pcs$0.10188
- Číslo dílu:
- AS4PJ-M3/86A
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE AVALANCHE 600V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A 600V
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tyristory - SCR, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - IGBT - Moduly and Tranzistory - bipolární (BJT) - RF ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division AS4PJ-M3/86A. AS4PJ-M3/86A může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na AS4PJ-M3/86A, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
AS4PJ-M3/86A Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
AS4PJ-M3/86A
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE AVALANCHE 600V 2.4A TO277A
Série :
eSMP®
Stav části :
Active
Typ diod :
Avalanche
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
600V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
2.4A (DC)
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
962mV @ 2A
Rychlost :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
1.8µs
Proud - reverzní únik @ Vr :
10µA @ 600V
Kapacita @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
TO-277, 3-PowerDFN
Balík zařízení pro dodavatele :
TO-277A (SMPC)
Provozní teplota - křižovatka :
-55°C ~ 175°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
BAS20-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD6050
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
-
-
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
-
CDBFN160-HF
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY 1A 60V
-
Horké díly
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF