Vishay Siliconix - SQJ244EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525237

SQJ244EP-T1_GE3 Ceny (USD) [144991ks skladem]

  • 1 pcs$0.25510

Číslo dílu:
SQJ244EP-T1_GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Detailní popis:
MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tyristory - TRIAC and Diody - Zener - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SQJ244EP-T1_GE3. SQJ244EP-T1_GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SQJ244EP-T1_GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ244EP-T1_GE3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SQJ244EP-T1_GE3
Výrobce : Vishay Siliconix
Popis : MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
Série : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav části : Active
Typ FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkce FET : Standard
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 40V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Výkon - Max : 27W (Tc), 48W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : PowerPAK® SO-8 Dual
Balík zařízení pro dodavatele : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Můžete se také zajímat
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6562CDQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP.

  • SP8J65TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC.

  • SQ4917EY-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO.

  • SP8K2TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC.