Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. DRAM
  4. LPDDR4
  5. K4F2E3S4HM-MFCJ

Samsung Semiconductor - K4F2E3S4HM-MFCJ

KEY Part #: K7359759

[16007ks skladem]

    Číslo dílu:
    K4F2E3S4HM-MFCJ
    Výrobce:
    Samsung Semiconductor
    Detailní popis:
    12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: HBM Aquabolt, SLC Nand, MODULE, LPDDR5, DDR4, LPDDR4X, GDDR5 and DDR3 ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Samsung Semiconductor K4F2E3S4HM-MFCJ. K4F2E3S4HM-MFCJ může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na K4F2E3S4HM-MFCJ, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4F2E3S4HM-MFCJ Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : K4F2E3S4HM-MFCJ
    Výrobce : Samsung Semiconductor
    Popis : 12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
    Série : DDR3
    Hustota : 12 Gb
    Org. : x32
    Rychlost : 3733 Mbps
    Napětí : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Balík : 200FBGA
    Stav produkt : Mass Production

    Poslední zprávy

    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    The future of NAND technology
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    How Will 5G Impact on Memory?
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Můžete se také zajímat
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    Horké díly