Vishay Semiconductor Diodes Division - UG12JT-E3/45

KEY Part #: K6441280

UG12JT-E3/45 Ceny (USD) [51954ks skladem]

  • 1 pcs$0.73167
  • 10 pcs$0.65684
  • 25 pcs$0.61979
  • 100 pcs$0.52806
  • 250 pcs$0.49582
  • 500 pcs$0.43384
  • 1,000 pcs$0.34004
  • 2,500 pcs$0.31658
  • 5,000 pcs$0.31267

Číslo dílu:
UG12JT-E3/45
Výrobce:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tyristory - TRIAC, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - JFETy, Diody - RF and Tyristory - SCR ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division UG12JT-E3/45. UG12JT-E3/45 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na UG12JT-E3/45, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UG12JT-E3/45 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : UG12JT-E3/45
Výrobce : Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis : DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC
Série : -
Stav části : Obsolete
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 600V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 12A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.75V @ 12A
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 50ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 30µA @ 600V
Kapacita @ Vr, F : -
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : TO-220-2
Balík zařízení pro dodavatele : TO-220AC
Provozní teplota - křižovatka : 150°C (Max)

Můžete se také zajímat
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-EPH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-E4PU6006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

  • STTH3010PI

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I. Diodes - General Purpose, Power, Switching high voltage diode

  • FERD30SM100ST

    STMicroelectronics

    DIODE RECT 100V 30A TO220AB. Rectifiers Field Effect Rectifier