Výrobce :
ON Semiconductor
Popis :
DIODE GEN PURP 600V 5A TP
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
600V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
5A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 5A
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
150ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
10µA @ 600V
Typ montáže :
Through Hole
Balíček / Případ :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Balík zařízení pro dodavatele :
TP
Provozní teplota - křižovatka :
150°C (Max)