Vishay Siliconix - SI7620DN-T1-GE3

KEY Part #: K6407827

[839ks skladem]


    Číslo dílu:
    SI7620DN-T1-GE3
    Výrobce:
    Vishay Siliconix
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Diody - Můstkové usměrňovače, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tyristory - SCR, Tranzistory - IGBTs - Single and Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SI7620DN-T1-GE3. SI7620DN-T1-GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SI7620DN-T1-GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7620DN-T1-GE3 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : SI7620DN-T1-GE3
    Výrobce : Vishay Siliconix
    Popis : MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
    Série : TrenchFET®
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 150V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 13A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 126 mOhm @ 3.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 75V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 3.8W (Ta), 5.2W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík zařízení pro dodavatele : PowerPAK® 1212-8
    Balíček / Případ : PowerPAK® 1212-8

    Můžete se také zajímat