Winbond Electronics - W632GU6MB-11

KEY Part #: K940228

Detailní popis:: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Převodníky PMIC - V / F a F / V, Logika - paměť FIFOs, Paměť, PMIC - regulátory napětí - regulátory lineárního r, Logika - generátory parity a dáma, Sběr dat - analogově-digitální převodníky (ADC), Vestavěné mikrokontroléry and PMIC - Nabíječky Baterií ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky Winbond Electronics W632GU6MB-11. W632GU6MB-11 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na W632GU6MB-11, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : W632GU6MB-11

Výrobce : Winbond Electronics

Popis : IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Série : -

Stav části : Active

Typ paměti : Volatile

Formát paměti : DRAM

Technologie : SDRAM - DDR3

Velikost paměti : 2Gb (128M x 16)

Frekvence hodin : 933MHz

Čas zápisu - slovo, strana : -

Čas přístupu : 20ns

Paměťové rozhraní : Parallel

Napětí - napájení : 1.283V ~ 1.45V

Provozní teplota : 0°C ~ 95°C (TC)

Typ montáže : Surface Mount

Balíček / Případ : 96-VFBGA

Balík zařízení pro dodavatele : 96-VFBGA (7.5x13)

Můžete se také zajímat

CY7C199D-25SXET

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs
W94AD2KBJX5I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R
W94AD2KBJX5E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R
W632GG8MB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz
W632GG8MB-11

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz
W632GU8MB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz