Číslo dílu :
SIA456DJ-T1-GE3
Výrobce :
Vishay Siliconix
Popis :
MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) :
200V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C :
2.6A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.38 Ohm @ 750mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
14.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 100V
Ztráta výkonu (Max) :
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Provozní teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Balíček / Případ :
PowerPAK® SC-70-6