Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Tranzistory - IGBTs - Single
  5. APT50GR120B2

Microsemi Corporation - APT50GR120B2

KEY Part #: K6421762

APT50GR120B2 Ceny (USD) [7709ks skladem]

  • 1 pcs$5.34569
  • 10 pcs$4.86136
  • 25 pcs$4.49690
  • 100 pcs$4.13227
  • 250 pcs$3.76765
  • 500 pcs$3.52459
Číslo dílu:
APT50GR120B2
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
IGBT 1200V 117A 694W TO247.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - IGBTs - Single and Diody - Zener - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APT50GR120B2. APT50GR120B2 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APT50GR120B2, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GR120B2 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APT50GR120B2
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : IGBT 1200V 117A 694W TO247
Série : -
Stav části : Active
Typ IGBT : NPT
Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 1200V
Proud - kolektor (Ic) (Max) : 117A
Proud - kolektor pulzní (Icm) : 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3.2V @ 15V, 50A
Výkon - Max : 694W
Přepínání energie : 2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
Typ vstupu : Standard
Gate Charge : 445nC
Td (zapnuto / vypnuto) @ 25 ° C : 28ns/237ns
Podmínky testu : 600V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Doba zpětného obnovení (trr) : -
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : TO-247-3
Balík zařízení pro dodavatele : TO-247

Poslední zprávy

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Můžete se také zajímat
  • FGD3N60LSDTM

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 40W DPAK.

  • BSS138

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.

  • BSS123NH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.

  • BSS7728NH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.

  • SSM3K7002KF,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 0.4A.

  • 2N7002

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23.

Horké díly