Výrobce :
GeneSiC Semiconductor
Popis :
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB
Napětí - Peak Reverse (Max) :
1kV
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
1A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Proud - reverzní únik @ Vr :
10µA @ 1000V
Provozní teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Through Hole
Balíček / Případ :
4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Balík zařízení pro dodavatele :
DB