Infineon Technologies - FF225R12ME4BOSA1

KEY Part #: K6534484

FF225R12ME4BOSA1 Ceny (USD) [852ks skladem]

  • 1 pcs$54.52295

Číslo dílu:
FF225R12ME4BOSA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
IGBT MODULE VCES 1200V 225A.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - usměrňovače - pole, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - speciální účel, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - JFETy and Diody - Zener - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies FF225R12ME4BOSA1. FF225R12ME4BOSA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na FF225R12ME4BOSA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF225R12ME4BOSA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : FF225R12ME4BOSA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : IGBT MODULE VCES 1200V 225A
Série : -
Stav části : Active
Typ IGBT : Trench Field Stop
Konfigurace : 2 Independent
Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 1200V
Proud - kolektor (Ic) (Max) : 320A
Výkon - Max : 1050W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 225A
Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 3mA
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 13nF @ 25V
Vstup : Standard
Termistor NTC : Yes
Provozní teplota : -40°C ~ 150°C
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : Module
Balík zařízení pro dodavatele : Module

Můžete se také zajímat
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.