ON Semiconductor - FGB20N6S2D

KEY Part #: K6423376

[9674ks skladem]


    Číslo dílu:
    FGB20N6S2D
    Výrobce:
    ON Semiconductor
    Detailní popis:
    IGBT 600V 28A 125W TO263AB.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Diody - usměrňovače - pole, Tyristory - SCR - Moduly, Diody - Zener - pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí and Tranzistory - IGBTs - Arrays ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor FGB20N6S2D. FGB20N6S2D může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na FGB20N6S2D, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FGB20N6S2D Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : FGB20N6S2D
    Výrobce : ON Semiconductor
    Popis : IGBT 600V 28A 125W TO263AB
    Série : -
    Stav části : Obsolete
    Typ IGBT : -
    Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 600V
    Proud - kolektor (Ic) (Max) : 28A
    Proud - kolektor pulzní (Icm) : 40A
    Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 7A
    Výkon - Max : 125W
    Přepínání energie : 25µJ (on), 58µJ (off)
    Typ vstupu : Standard
    Gate Charge : 30nC
    Td (zapnuto / vypnuto) @ 25 ° C : 7.7ns/87ns
    Podmínky testu : 390V, 7A, 25 Ohm, 15V
    Doba zpětného obnovení (trr) : 31ns
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balíček / Případ : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Balík zařízení pro dodavatele : TO-263AB