Infineon Technologies - BSP298H6327XUSA1

KEY Part #: K6402078

BSP298H6327XUSA1 Ceny (USD) [140209ks skladem]

  • 1 pcs$0.26380
  • 1,000 pcs$0.20015

Číslo dílu:
BSP298H6327XUSA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - JFETy, Moduly ovladače napájení and Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies BSP298H6327XUSA1. BSP298H6327XUSA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BSP298H6327XUSA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP298H6327XUSA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : BSP298H6327XUSA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
Série : SIPMOS®
Stav části : Not For New Designs
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 400V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 500mA (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 1.8W (Ta)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PG-SOT223-4
Balíček / Případ : TO-261-4, TO-261AA

Můžete se také zajímat
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.