Číslo dílu :
IPB65R095C7ATMA2
Výrobce :
Infineon Technologies
Popis :
MOSFET N-CH TO263-3
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) :
650V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C :
24A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 590µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
2140pF @ 400V
Ztráta výkonu (Max) :
128W (Tc)
Provozní teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele :
PG-TO263-3
Balíček / Případ :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB