Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Diody - Můstkové usměrňovače
  5. DB105G

GeneSiC Semiconductor - DB105G

KEY Part #: K6537584

DB105G Ceny (USD) [442180ks skladem]

  • 1 pcs$0.08712
  • 2,500 pcs$0.08668
Číslo dílu:
DB105G
Výrobce:
GeneSiC Semiconductor
Detailní popis:
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB. Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A600P/420R
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tyristory - TRIAC, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - JFETy, Diody - usměrňovače - pole and Diody - RF ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor DB105G. DB105G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na DB105G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DB105G Vlastnosti produktu

Číslo dílu : DB105G
Výrobce : GeneSiC Semiconductor
Popis : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Série : -
Stav části : Active
Typ diod : Single Phase
Technologie : Standard
Napětí - Peak Reverse (Max) : 600V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 1A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Proud - reverzní únik @ Vr : 10µA @ 600V
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Balík zařízení pro dodavatele : DB
Můžete se také zajímat
  • VSKT500-14

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    SCR DBL 2SCR 1400V 500A MAGNAPAK.

  • VSKT500-16

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    SCR DBL 2SCR 1600V 500A MAGNAPAK.

  • VSKH500-12

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    SCR 1200V 500A SUPER MAGN-A-PAK.

  • GBPC3506W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 600 Volt

  • KBPC5002W

    GeneSiC Semiconductor

    BRIDGE RECT 1P 200V 50A KBPC-W. Bridge Rectifiers 200 V - 50 A

  • KBPC5010W

    GeneSiC Semiconductor

    BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 V - 50 A

Horké díly