ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43LR32160C-6BL-TR

KEY Part #: K937012

IS43LR32160C-6BL-TR Ceny (USD) [15675ks skladem]

  • 1 pcs$4.04473
  • 2,500 pcs$4.02460

Číslo dílu:
IS43LR32160C-6BL-TR
Výrobce:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detailní popis:
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Vestavěné - FPGA (Field Programmable Gate Array) s, PMIC - Ovladače motorů, regulátory, Vestavěné CPLD (komplexní programovatelná logická , PMIC - PFC (korekce účiníku), Hodiny / časování - generátory hodin, PLLs, frekve, Hodiny / Časování - Specifické aplikace, Vestavěné mikrokontroléry and PMIC - RMS na DC měniče ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160C-6BL-TR. IS43LR32160C-6BL-TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IS43LR32160C-6BL-TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43LR32160C-6BL-TR Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IS43LR32160C-6BL-TR
Výrobce : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Popis : IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Série : -
Stav části : Active
Typ paměti : Volatile
Formát paměti : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR
Velikost paměti : 512Mb (16M x 32)
Frekvence hodin : 166MHz
Čas zápisu - slovo, strana : 12ns
Čas přístupu : 5.5ns
Paměťové rozhraní : Parallel
Napětí - napájení : 1.7V ~ 1.95V
Provozní teplota : 0°C ~ 70°C (TA)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : 90-TFBGA
Balík zařízení pro dodavatele : 90-TFBGA (8x13)

Poslední zprávy

Můžete se také zajímat
  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28HC256-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • W29N04GVBIAF

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8