1N459TR Ceny (USD) [3569519ks skladem]
- 1 pcs$0.01036
- 30,000 pcs$0.01024
- Číslo dílu:
- 1N459TR
- Výrobce:
- ON Semiconductor
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - speciální účel, Tyristory - SCR and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor 1N459TR. 1N459TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 1N459TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
1N459TR Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
1N459TR
Výrobce :
ON Semiconductor
Popis :
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
200V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
500mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Rychlost :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
-
Proud - reverzní únik @ Vr :
25nA @ 175V
Kapacita @ Vr, F :
6pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže :
Through Hole
Balíček / Případ :
DO-204AH, DO-35, Axial
Balík zařízení pro dodavatele :
DO-35
Provozní teplota - křižovatka :
175°C (Max)
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
-
1N4150W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
-
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
ES07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
-
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Horké díly
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08