GeneSiC Semiconductor - 1N8033-GA

KEY Part #: K6446536

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Usměrňovače - Single, Diody - Zener - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tyristory - SCR - Moduly and Diody - Můstkové usměrňovače ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA. 1N8033-GA může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 1N8033-GA, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : 1N8033-GA

Výrobce : GeneSiC Semiconductor

Popis : DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Série : -

Stav části : Obsolete

Typ diod : Silicon Carbide Schottky

Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 650V

Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 4.3A (DC)

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.65V @ 5A

Rychlost : No Recovery Time > 500mA (Io)

Doba zpětného obnovení (trr) : 0ns

Proud - reverzní únik @ Vr : 5µA @ 650V

Kapacita @ Vr, F : 274pF @ 1V, 1MHz

Typ montáže : Surface Mount

Balíček / Případ : TO-276AA

Balík zařízení pro dodavatele : TO-276

Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 250°C

Můžete se také zajímat

MMBD4148-D87Z

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.
BAT54-D87Z

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.
IDB18E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.
VS-MBRD340PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK.
VS-50WQ03FNTRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.
VS-50WQ03FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.

Horké díly