GeneSiC Semiconductor - MBRTA60035R

KEY Part #: K6475770

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - RF, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - speciální účel, Moduly ovladače napájení, Tyristory - SCR - Moduly, Diody - Můstkové usměrňovače and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor MBRTA60035R. MBRTA60035R může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na MBRTA60035R, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : MBRTA60035R

Výrobce : GeneSiC Semiconductor

Popis : DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3TOWER

Série : -

Stav části : Obsolete

Konfigurace diod : 1 Pair Common Anode

Typ diod : Schottky

Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 35V

Proud - průměrný rektifikovaný (Io) (na diodu) : 300A

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 700mV @ 300A

Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Doba zpětného obnovení (trr) : -

Proud - reverzní únik @ Vr : 1mA @ 35V

Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 150°C

Typ montáže : Chassis Mount

Balíček / Případ : Three Tower

Balík zařízení pro dodavatele : Three Tower

Můžete se také zajímat

BAV70M-TP

Micro Commercial Co

0.2A75VSCHOTTKYSOT-723 PKG. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150mW SWITCHING DIODES
BAV199E6359HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY 80V 200MA SOT23.
BAV170E6359HTMA1

Infineon Technologies

DIODE GP 80V 100MA SOT23.
BAT54C-BO-HE3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY DUAL CC SOT23.
BAT54C-BO-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHTKY DL 30V 200MA SOT23.
BAT54C-BO-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHTKY DL 30V 200MA SOT23.

Horké díly