Vishay Siliconix - SI1070X-T1-GE3

KEY Part #: K6411731

SI1070X-T1-GE3 Ceny (USD) [498647ks skladem]

  • 1 pcs$0.07455
  • 3,000 pcs$0.07418

Číslo dílu:
SI1070X-T1-GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Detailní popis:
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - RF, Diody - Zener - pole, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SI1070X-T1-GE3. SI1070X-T1-GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SI1070X-T1-GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1070X-T1-GE3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SI1070X-T1-GE3
Výrobce : Vishay Siliconix
Popis : MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
Série : TrenchFET®
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 30V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : -
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 5V
Vgs (Max) : ±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 385pF @ 15V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 236mW (Ta)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : SC-89-6
Balíček / Případ : SOT-563, SOT-666